MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo N-Canal NX7002BKXBZ, VDSS 60 V, ID 260 mA, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 153-1880
Nº ref. fabric.:: NX7002BKXBZ
Fabricante:: Nexperia

MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo N-Canal NX7002BKXBZ, VDSS 60 V, ID 260 mA, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:: 153-1880
Nº ref. fabric.:: NX7002BKXBZ
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET de trinchera
	Corriente continua máxima de drenaje ld	260mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	Trench MOSFET
	Encapsulado	DFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	5.7Ω
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	4032mW
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Configuración de transistor	Doble
	Longitud	1.15mm
	Altura	0.36mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.05 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Nexperia
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET de trinchera
	Corriente continua máxima de drenaje ld 260mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie Trench MOSFET
	Encapsulado DFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.7Ω
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 4032mW
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Configuración de transistor Doble
	Longitud 1.15mm
	Altura 0.36mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.05 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N de 40 V - 60 V, MOSFET de nivel de lógica y estándar. Pruebe nuestros MOSFET robustos y fáciles de usar de la gama 40 V a 60 V, parte de nuestra extensa gama de dispositivos MOSFET. Son perfectos para aplicaciones de espacio y potencia críticos y proporcionan un excelente rendimiento de conmutación y área de funcionamiento seguro (SOA) líder de su clase

MOSFET Trench de canal N doble, 60 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N doble en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010B-6 (SOT1216) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Compatibles con nivel lógico

Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Tecnología MOSFET Trench

Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 2 kV HBM

Controlador de relé

Controlador de línea de alta velocidad

Interruptor de carga de lado bajo

Circuitos de conmutación

MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo N-Canal NX7002BKXBZ, VDSS 60 V, ID 260 mA, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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