MOSFET Nexperia PMDXB950UPELZ, VDSS -20 V, ID 500 mA, DFN1010B-6 de 8 pines, 2elementos

MOSFET de canal P. El complemento perfecto para su diseño cuando los canales N no son adecuados. Nuestro amplio catálogo de MOSFET también incluye muchas gamas de dispositivos de canal P, basadas en la tecnología Trench líder de Nexperia. Valor nominal de 12 V a 70 V y alojado en encapsulados de media y baja potencia, ofrecen nuestra familiar mezcla de alta eficiencia y alta fiabilidad.

MOSFET Trench de canal P doble, 20 V, Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P doble en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010B-6 (SOT1216) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET.

Corriente de fugas baja
Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 1 kV HBM
Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon = 1,02 Ω
Controlador de relé
Controlador de línea de alta velocidad
Interruptor de carga de lado alto
Circuitos de conmutación