MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo P-Canal PMDXB950UPELZ, VDSS -20 V, ID 500 mA, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config.

Código RS:: 152-8344
Nº ref. fabric.:: PMDXB950UPELZ
Fabricante:: Nexperia

MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo P-Canal PMDXB950UPELZ, VDSS -20 V, ID 500 mA, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Código RS:: 152-8344
Nº ref. fabric.:: PMDXB950UPELZ
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET de trinchera
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	500mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	-20V
	Encapsulado	DFN
	Serie	Trench MOSFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	3.5Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.19nC
	Disipación de potencia máxima Pd	4025mW
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Configuración de transistor	Doble
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	1.15mm
	Altura	0.36mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET de trinchera
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 500mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -20V
	Encapsulado DFN
	Serie Trench MOSFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.19nC
	Disipación de potencia máxima Pd 4025mW
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Configuración de transistor Doble
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 1.15mm
	Altura 0.36mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal P. El complemento perfecto para su diseño cuando los canales N no son adecuados. Nuestro amplio catálogo de MOSFET también incluye muchas gamas de dispositivos de canal P, basadas en la tecnología Trench líder de Nexperia. Valor nominal de 12 V a 70 V y alojado en encapsulados de media y baja potencia, ofrecen nuestra familiar mezcla de alta eficiencia y alta fiabilidad.

MOSFET Trench de canal P doble, 20 V, Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P doble en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010B-6 (SOT1216) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET.

Corriente de fugas baja

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica

Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 1 kV HBM

Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon = 1,02 Ω

Controlador de relé

Controlador de línea de alta velocidad

Interruptor de carga de lado alto

Circuitos de conmutación

MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo P-Canal PMDXB950UPELZ, VDSS -20 V, ID 500 mA, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config.

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