MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS -30 V, ID -2.4 A, Mejora, DFN de 4 pines

Código RS:: 151-3073
Nº ref. fabric.:: PMXB120EPEZ
Fabricante:: Nexperia

MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS -30 V, ID -2.4 A, Mejora, DFN de 4 pines

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Código RS:: 151-3073
Nº ref. fabric.:: PMXB120EPEZ
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	-2.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	-30V
	Encapsulado	DFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	187mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.2nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	8.33W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	1.15mm
	Altura	0.36mm
	Anchura	1.05 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Nexperia
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld -2.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V
	Encapsulado DFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 187mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.2nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 8.33W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 1.15mm
	Altura 0.36mm
	Anchura 1.05 mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal P. El complemento perfecto para su diseño cuando los canales N no son adecuados. Nuestro amplio catálogo de MOSFET también incluye muchas gamas de dispositivos de canal P, basadas en la tecnología Trench líder de Nexperia. Valor nominal de 12 V a 70 V y alojado en encapsulados de media y baja potencia, ofrecen nuestra familiar mezcla de alta eficiencia y alta fiabilidad.

MOSFET de zanja de canal P, 30 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica

Protección contra descargas electrostáticas (ESD): 1 kV HBM

Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon = 350 mΩ

MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS -30 V, ID -2.4 A, Mejora, DFN de 4 pines

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