MOSFET Nexperia PMXB65UPEZ, VDSS -12 V, ID 3,2 A, DFN1010D-3 de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 151-3145
Nº ref. fabric.:: PMXB65UPEZ
Fabricante:: Nexperia

MOSFET Nexperia PMXB65UPEZ, VDSS -12 V, ID 3,2 A, DFN1010D-3 de 4 pines, , config. Simple

11450 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 50)

0,296 €

(exc. IVA)

0,358 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
50 +	0,296 €	14,80 €

*precio indicativo

Código RS:: 151-3145
Nº ref. fabric.:: PMXB65UPEZ
Fabricante:: Nexperia

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal P. El complemento perfecto para su diseño cuando los canales N no son adecuados. Nuestro amplio catálogo de MOSFET también incluye muchas gamas de dispositivos de canal P, basadas en la tecnología Trench líder de Nexperia. Valor nominal de 12 V a 70 V y alojado en encapsulados de media y baja potencia, ofrecen nuestra familiar mezcla de alta eficiencia y alta fiabilidad.

MOSFET de zanja de canal P, 12 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Protección contra descargas electrostáticas (ESD): 1,5 kV HBM
Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon = 59 mΩ
Muy baja tensión de umbral de fuente de compuerta para aplicaciones portátiles VGS(th) = -0,68 V

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	-12 V
Tipo de Encapsulado	DFN1010D-3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	880 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	-1V
Tensión de umbral de puerta mínima	-0.4V
Disipación de Potencia Máxima	8.330 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	8 V
Longitud	1.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	6,7 nC a 10 V
Ancho	1.05mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.36mm

MOSFET Nexperia PMXB65UPEZ, VDSS -12 V, ID 3,2 A, DFN1010D-3 de 4 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Especificaciones

Enlaces relacionados