MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia PMXB65UPEZ, VDSS -12 V, ID -3.2 A, Mejora, DFN de 4 pines
- Código RS:
- 151-3145
- Nº ref. fabric.:
- PMXB65UPEZ
- Fabricante:
- Nexperia
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- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -3.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -12V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 880mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 8.33W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 1.15mm | |
| Anchura | 1.05 mm | |
| Altura | 0.36mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -3.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -12V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 880mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 8.33W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 1.15mm | ||
Anchura 1.05 mm | ||
Altura 0.36mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal P. El complemento perfecto para su diseño cuando los canales N no son adecuados. Nuestro amplio catálogo de MOSFET también incluye muchas gamas de dispositivos de canal P, basadas en la tecnología Trench líder de Nexperia. Valor nominal de 12 V a 70 V y alojado en encapsulados de media y baja potencia, ofrecen nuestra familiar mezcla de alta eficiencia y alta fiabilidad.
MOSFET de zanja de canal P, 12 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET
Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Protección contra descargas electrostáticas (ESD): 1,5 kV HBM
Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon = 59 mΩ
Muy baja tensión de umbral de fuente de compuerta para aplicaciones portátiles VGS(th) = -0,68 V
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