MOSFET Nexperia PMXB56ENZ, VDSS 30 V, ID 3,2 A, DFN1010D-3 de 4 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N de 25 V - 30 V, Rendimiento robusto gracias a los conocimientos tecnológicos avanzados, MOSFET fáciles de usar en el rango de 25 V a 30 V. Perfectos para aplicaciones de espacio y potencia críticos y ofrecen un excelente rendimiento de conmutación y área de funcionamiento seguro (SOA) líder de su clase ¿Necesita una tensión nominal diferente? Consulte nuestra amplia oferta de productos para conocer más opciones.

MOSFET de zanja de canal N, 30 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y delgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon muy baja = 49 mΩ
Conmutación muy rápida
Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles
Gestión de potencia en portátiles alimentados por batería
Controlador LED
Convertidores dc a dc