MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMXB56ENZ, VDSS 30 V, ID 3.2 A, Mejora, DFN de 4 pines

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Código RS:
153-1892
Nº ref. fabric.:
PMXB56ENZ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

87mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

8.33W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.05 mm

Altura

0.36mm

Longitud

1.15mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N de 25 V - 30 V, Rendimiento robusto gracias a los conocimientos tecnológicos avanzados, MOSFET fáciles de usar en el rango de 25 V a 30 V. Perfectos para aplicaciones de espacio y potencia críticos y ofrecen un excelente rendimiento de conmutación y área de funcionamiento seguro (SOA) líder de su clase ¿Necesita una tensión nominal diferente? Consulte nuestra amplia oferta de productos para conocer más opciones.

MOSFET de zanja de canal N, 30 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y delgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica

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Conmutación muy rápida

Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles

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Controlador LED

Convertidores dc a dc

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