MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMXB40UNEZ, VDSS 12 V, ID 3.2 A, Mejora, DFN de 4 pines
- Código RS:
- 153-1958
- Nº ref. fabric.:
- PMXB40UNEZ
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 153-1958
- Nº ref. fabric.:
- PMXB40UNEZ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 121mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 66nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 8.33W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.05mm | |
| Longitud | 1.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.36mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 121mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 66nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 8.33W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.05mm | ||
Longitud 1.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.36mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de zanja de canal N, 12 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET
Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y delgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Protección contra descarga electrostática (ESD): 1 kV
Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon muy baja = 34 mΩ
Tensión de umbral muy baja de 0,65 V para aplicaciones portátiles
Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles
Gestión de potencia en portátiles alimentados por batería
Controlador LED
Convertidores dc a dc
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