Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMXB40UNEZ, VDSS 12 V, ID 3.2 A, Mejora, DFN de 4 pines

Código RS:: 153-1958
Nº ref. fabric.:: PMXB40UNEZ
Fabricante:: Nexperia

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMXB40UNEZ, VDSS 12 V, ID 3.2 A, Mejora, DFN de 4 pines

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125 - 1225	0,098 €	2,45 €
1250 - 2475	0,091 €	2,28 €
2500 - 3725	0,088 €	2,20 €
3750 +	0,086 €	2,15 €

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Código RS:: 153-1958
Nº ref. fabric.:: PMXB40UNEZ
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	12V
	Encapsulado	DFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	121mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	66nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Disipación de potencia máxima Pd	8.33W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	1.05 mm
	Longitud	1.15mm
	Altura	0.36mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Nexperia
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V
	Encapsulado DFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 121mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 66nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Disipación de potencia máxima Pd 8.33W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 1.05 mm
	Longitud 1.15mm
	Altura 0.36mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

MOSFET de zanja de canal N, 12 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y delgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica

Protección contra descarga electrostática (ESD): 1 kV

Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon muy baja = 34 mΩ

Tensión de umbral muy baja de 0,65 V para aplicaciones portátiles

Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles

Gestión de potencia en portátiles alimentados por batería

Controlador LED

Convertidores dc a dc

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMXB40UNEZ, VDSS 12 V, ID 3.2 A, Mejora, DFN de 4 pines

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