Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMXB40UNEZ, VDSS 12 V, ID 3.2 A, Mejora, DFN de 4 pines

Código RS:: 153-1958
Nº ref. fabric.:: PMXB40UNEZ
Fabricante:: Nexperia

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMXB40UNEZ, VDSS 12 V, ID 3.2 A, Mejora, DFN de 4 pines

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125 - 1225	0,098 €	2,45 €
1250 - 2475	0,091 €	2,28 €
2500 - 3725	0,088 €	2,20 €
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Código RS:: 153-1958
Nº ref. fabric.:: PMXB40UNEZ
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	12V
	Encapsulado	DFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	121mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	8.33W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	66nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	0.36mm
	Longitud	1.15mm
	Anchura	1.05 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Nexperia
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V
	Encapsulado DFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 121mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 8.33W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 66nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 0.36mm
	Longitud 1.15mm
	Anchura 1.05 mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de zanja de canal N, 12 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y delgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica

Protección contra descarga electrostática (ESD): 1 kV

Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon muy baja = 34 mΩ

Tensión de umbral muy baja de 0,65 V para aplicaciones portátiles

Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles

Gestión de potencia en portátiles alimentados por batería

Controlador LED

Convertidores dc a dc

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMXB40UNEZ, VDSS 12 V, ID 3.2 A, Mejora, DFN de 4 pines

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