MOSFET Nexperia PMXB40UNEZ, VDSS 12 V, ID 3,2 A, DFN1010D-3 de 4 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 153-0715
- Nº ref. fabric.:
- PMXB40UNEZ
- Fabricante:
- Nexperia
5000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)
0,086 €
(exc. IVA)
0,104 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,086 € | 430,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 153-0715
- Nº ref. fabric.:
- PMXB40UNEZ
- Fabricante:
- Nexperia
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de zanja de canal N, 12 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET
Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y delgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Protección contra descarga electrostática (ESD): 1 kV
Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon muy baja = 34 mΩ
Tensión de umbral muy baja de 0,65 V para aplicaciones portátiles
Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles
Gestión de potencia en portátiles alimentados por batería
Controlador LED
Convertidores dc a dc
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y delgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Protección contra descarga electrostática (ESD): 1 kV
Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon muy baja = 34 mΩ
Tensión de umbral muy baja de 0,65 V para aplicaciones portátiles
Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles
Gestión de potencia en portátiles alimentados por batería
Controlador LED
Convertidores dc a dc
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 3,2 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 12 V |
| Tipo de Encapsulado | DFN1010D-3 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 4 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 121 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 0.9V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.4V |
| Disipación de Potencia Máxima | 8,33 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 8 V |
| Ancho | 1.05mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Longitud | 1.15mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 66 nC a 10 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 0.36mm |
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