MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 12 V, ID 3.2 A, Mejora, DFN de 4 pines

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Código RS:
153-0715
Nº ref. fabric.:
PMXB40UNEZ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

12V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

121mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

66nC

Disipación de potencia máxima Pd

8.33W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.36mm

Anchura

1.05 mm

Longitud

1.15mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de zanja de canal N, 12 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y delgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica

Protección contra descarga electrostática (ESD): 1 kV

Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon muy baja = 34 mΩ

Tensión de umbral muy baja de 0,65 V para aplicaciones portátiles

Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles

Gestión de potencia en portátiles alimentados por batería

Controlador LED

Convertidores dc a dc

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