MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS -20 V, ID -2.9 A, Mejora, DFN de 4 pines

Código RS:: 153-0723
Nº ref. fabric.:: PMXB75UPEZ
Fabricante:: Nexperia

MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS -20 V, ID -2.9 A, Mejora, DFN de 4 pines

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Código RS:: 153-0723
Nº ref. fabric.:: PMXB75UPEZ
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	-2.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	-20V
	Encapsulado	DFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	950mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.8nC
	Disipación de potencia máxima Pd	8.33W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	0.36mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.05 mm
	Longitud	1.15mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Nexperia
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld -2.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -20V
	Encapsulado DFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 950mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.8nC
	Disipación de potencia máxima Pd 8.33W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 0.36mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.05 mm
	Longitud 1.15mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de zanja de canal P, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica

Protección contra descargas electrostáticas (ESD): 1,5 kV HBM

Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon = 69 mΩ

Muy baja tensión de umbral de fuente de compuerta para aplicaciones portátiles VGS(th) = -0,68 V

Interruptor de carga de lado alto e interruptor de carga para dispositivos portátiles

Gestión de potencia en portátiles alimentados por batería

Controlador LED

Convertidor dc a dc

MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS -20 V, ID -2.9 A, Mejora, DFN de 4 pines

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