MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS -20 V, ID -2.9 A, Mejora, DFN de 4 pines

Código RS:: 153-0723
Nº ref. fabric.:: PMXB75UPEZ
Fabricante:: Nexperia

MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS -20 V, ID -2.9 A, Mejora, DFN de 4 pines

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Código RS:: 153-0723
Nº ref. fabric.:: PMXB75UPEZ
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	-2.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	-20V
	Encapsulado	DFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	950mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.8nC
	Disipación de potencia máxima Pd	8.33W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	0.36mm
	Longitud	1.15mm
	Anchura	1.05 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Nexperia
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld -2.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -20V
	Encapsulado DFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 950mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.8nC
	Disipación de potencia máxima Pd 8.33W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 0.36mm
	Longitud 1.15mm
	Anchura 1.05 mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de zanja de canal P, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica

Protección contra descargas electrostáticas (ESD): 1,5 kV HBM

Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon = 69 mΩ

Muy baja tensión de umbral de fuente de compuerta para aplicaciones portátiles VGS(th) = -0,68 V

Interruptor de carga de lado alto e interruptor de carga para dispositivos portátiles

Gestión de potencia en portátiles alimentados por batería

Controlador LED

Convertidor dc a dc

MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS -20 V, ID -2.9 A, Mejora, DFN de 4 pines

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