MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia PMXB75UPEZ, VDSS -20 V, ID -2.9 A, Mejora, DFN de 4 pines
- Código RS:
- 153-1936
- Nº ref. fabric.:
- PMXB75UPEZ
- Fabricante:
- Nexperia
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 50 unidades)*
11,20 €
(exc. IVA)
13,55 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 15 de marzo de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,224 € | 11,20 € |
| 250 - 1200 | 0,101 € | 5,05 € |
| 1250 - 2450 | 0,08 € | 4,00 € |
| 2500 - 3700 | 0,078 € | 3,90 € |
| 3750 + | 0,076 € | 3,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 153-1936
- Nº ref. fabric.:
- PMXB75UPEZ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -2.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -20V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 950mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 8.33W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.05mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.36mm | |
| Longitud | 1.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -2.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -20V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 950mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 8.33W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.05mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.36mm | ||
Longitud 1.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de zanja de canal P, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET
Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Protección contra descargas electrostáticas (ESD): 1,5 kV HBM
Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon = 69 mΩ
Muy baja tensión de umbral de fuente de compuerta para aplicaciones portátiles VGS(th) = -0,68 V
Interruptor de carga de lado alto e interruptor de carga para dispositivos portátiles
Gestión de potencia en portátiles alimentados por batería
Controlador LED
Convertidor dc a dc
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS -20 V Mejora, DFN de 4 pines
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, DFN de 4 pines
- MOSFET VDSS -12 V Mejora, DFN de 4 pines
- MOSFET VDSS -12 V Mejora, DFN de 4 pines
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, DFN de 4 pines
- MOSFET de trinchera Nexperia VDSS -20 V DFN 2, config.
- MOSFET de trinchera Nexperia VDSS -20 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET VDSS -12 V Mejora, PICOSTAR