MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo N-Canal NX3020NAKS,115, VDSS 30 V, ID 180 mA, TSSOP, Mejora de 6 pines, 2, config.

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Código RS:
170-5396
Nº ref. fabric.:
NX3020NAKS,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de trinchera

Corriente continua máxima de drenaje ld

180mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TSSOP

Serie

NX3020NAKS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.26nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.1W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Anchura

1.35 mm

Longitud

2.2mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
Interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Los biestables son elementos de almacenamiento básicos en la electrónica digital. Puesto que solo permiten la salida para cambiar en una transición de borde, los biestables proporcionan una interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Con una elección de opciones de activación de borde positivo o negativo, proporcionan mayor flexibilidad de diseño.

Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N doble en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (SC-88) muy pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.

Conmutación muy rápida

Tecnología MOSFET Trench

Protección contra ESD.

Baja tensión de umbral

Aplicaciones de destino

Controlador de relé

Controlador de línea de alta velocidad

Interruptor de carga de lado bajo

Circuitos de conmutación

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