MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo N-Canal NX3020NAKS,115, VDSS 30 V, ID 180 mA, TSSOP, Mejora de 6 pines, 2, config.

Código RS:: 170-5396
Nº ref. fabric.:: NX3020NAKS,115
Fabricante:: Nexperia

MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo N-Canal NX3020NAKS,115, VDSS 30 V, ID 180 mA, TSSOP, Mejora de 6 pines, 2, config.

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Código RS:: 170-5396
Nº ref. fabric.:: NX3020NAKS,115
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de producto	MOSFET de trinchera
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	180mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	NX3020NAKS
	Encapsulado	TSSOP
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	13Ω
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Disipación de potencia máxima Pd	1.1W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	0.26nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Configuración de transistor	Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2.2mm
	Altura	1mm
	Anchura	1.35 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Nexperia
	Tipo de producto MOSFET de trinchera
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 180mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie NX3020NAKS
	Encapsulado TSSOP
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13Ω
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Disipación de potencia máxima Pd 1.1W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.26nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Configuración de transistor Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2.2mm
	Altura 1mm
	Anchura 1.35 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

Interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Los biestables son elementos de almacenamiento básicos en la electrónica digital. Puesto que solo permiten la salida para cambiar en una transición de borde, los biestables proporcionan una interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Con una elección de opciones de activación de borde positivo o negativo, proporcionan mayor flexibilidad de diseño.

Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N doble en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (SC-88) muy pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.

Conmutación muy rápida

Tecnología MOSFET Trench

Protección contra ESD.

Baja tensión de umbral

Aplicaciones de destino

Controlador de relé

Controlador de línea de alta velocidad

Interruptor de carga de lado bajo

Circuitos de conmutación

MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo N-Canal NX3020NAKS,115, VDSS 30 V, ID 180 mA, TSSOP, Mejora de 6 pines, 2, config.

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