MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 180 mA, TSSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 170-4878
- Nº ref. fabric.:
- NX3020NAKS,115
- Fabricante:
- Nexperia
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
135,00 €
(exc. IVA)
162,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 03 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,045 € | 135,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 170-4878
- Nº ref. fabric.:
- NX3020NAKS,115
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de trinchera | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSSOP | |
| Serie | NX3020NAKS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Anchura | 1.35 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de trinchera | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSSOP | ||
Serie NX3020NAKS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Anchura 1.35 mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.2mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Los biestables son elementos de almacenamiento básicos en la electrónica digital. Puesto que solo permiten la salida para cambiar en una transición de borde, los biestables proporcionan una interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Con una elección de opciones de activación de borde positivo o negativo, proporcionan mayor flexibilidad de diseño.
Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N doble en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (SC-88) muy pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Conmutación muy rápida
Tecnología MOSFET Trench
Protección contra ESD.
Baja tensión de umbral
Aplicaciones de destino
Controlador de relé
Controlador de línea de alta velocidad
Interruptor de carga de lado bajo
Circuitos de conmutación
Enlaces relacionados
- MOSFET de trinchera Nexperia115 ID 180 mA Mejora de 6 pines config.
- MOSFET de trinchera Nexperia Tipo N-Canal ID 350 mA Mejora de 6 pines config. Doble
- MOSFET de trinchera Nexperia VDSS -20 V DFN 2, config.
- MOSFET de trinchera Nexperia VDSS 60 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de trinchera Nexperia VDSS -20 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de trinchera Nexperia VDSS 60 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de trinchera Nexperia Tipo N-Canal NX3008CBKS VDSS 30 V SC-88 2,
- MOSFET Nexperia VDSS 60 V SC-88 2, config. Aislado