MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 180 mA, TSSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 170-4878
- Nº ref. fabric.:
- NX3020NAKS,115
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 170-4878
- Nº ref. fabric.:
- NX3020NAKS,115
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de trinchera | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | NX3020NAKS | |
| Encapsulado | TSSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de trinchera | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie NX3020NAKS | ||
Encapsulado TSSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.2mm | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Los biestables son elementos de almacenamiento básicos en la electrónica digital. Puesto que solo permiten la salida para cambiar en una transición de borde, los biestables proporcionan una interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Con una elección de opciones de activación de borde positivo o negativo, proporcionan mayor flexibilidad de diseño.
Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N doble en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (SC-88) muy pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Conmutación muy rápida
Tecnología MOSFET Trench
Protección contra ESD.
Baja tensión de umbral
Aplicaciones de destino
Controlador de relé
Controlador de línea de alta velocidad
Interruptor de carga de lado bajo
Circuitos de conmutación
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