MOSFET Nexperia, N-Canal PMXB43UNEZ, VDSS 20 V, ID 3.2 A, DFN, Mejora de 4 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 153-0741
- Nº ref. fabric.:
- PMXB43UNEZ
- Fabricante:
- Nexperia
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 153-0741
- Nº ref. fabric.:
- PMXB43UNEZ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 120mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 8.33W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Anchura | 1.05mm | |
| Altura | 360μm | |
| Longitud | 1.15mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 8.33W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Anchura 1.05mm | ||
Altura 360μm | ||
Longitud 1.15mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de canal N ≤ 20 V, obtenga las soluciones de conmutación óptimas para sus diseños portátiles, elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N simple y doble de hasta 20 V. Gran fiabilidad gracias a nuestras tecnologías de encapsulado y TrenchMOS de confianza. Fácil de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las demandas de aplicaciones portátiles con tensiones de accionamiento bajas.
Transistor MOSFET Trench de canal N de 20 V, modo de mejora de canal N, transistor de efecto de campo (FET) en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y fino sin cables: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Resistencia de drenaje-fuente en estado activo muy baja RDSon = 42 mΩ
Protección ESD de 1 kV
Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles
Gestión de potencia en dispositivos portátiles alimentados por batería
Controlador de LED
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