MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal PMXB43UNEZ, DFN, Mejora de 4 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 153-0741
- Nº ref. fabric.:
- PMXB43UNEZ
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 153-0741
- Nº ref. fabric.:
- PMXB43UNEZ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Encapsulado | DFN | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Anchura | 1.05 mm | |
| Longitud | 1.15mm | |
| Altura | 0.36mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Encapsulado DFN | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Anchura 1.05 mm | ||
Longitud 1.15mm | ||
Altura 0.36mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de canal N ≤ 20 V, obtenga las soluciones de conmutación óptimas para sus diseños portátiles, elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N simple y doble de hasta 20 V. Gran fiabilidad gracias a nuestras tecnologías de encapsulado y TrenchMOS de confianza. Fácil de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las demandas de aplicaciones portátiles con tensiones de accionamiento bajas.
Transistor MOSFET Trench de canal N de 20 V, modo de mejora de canal N, transistor de efecto de campo (FET) en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y fino sin cables: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Resistencia de drenaje-fuente en estado activo muy baja RDSon = 42 mΩ
Protección ESD de 1 kV
Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles
Gestión de potencia en dispositivos portátiles alimentados por batería
Controlador de LED
Convertidores dc a dc
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