MOSFET Nexperia PMXB43UNEZ, VDSS 20 V, ID 3,2 A, DFN1010D-3 de 4 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N ≤ 20 V. Las soluciones de conmutación óptimas para sus diseños portátiles. Elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N individuales o dobles de hasta 20 V. Excelente fiabilidad gracias a nuestras fiables tecnologías TrenchMOS y de encapsulado Fáciles de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las exigencias de las aplicaciones portátiles con bajo nivel de tensión.

MOSFET de zanja de canal N, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y delgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon muy baja = 42 mΩ
Protección contra ESD de 1 kV
Interruptor de carga de lado bajo e interruptor de carga para dispositivos portátiles
Gestión de potencia en portátiles alimentados por batería
Controlador LED
Convertidores dc a dc