MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
153-0729
Nº ref. fabric.:
PMV100ENEAR
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

118mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

4.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1mm

Longitud

3mm

Anchura

1.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Trench de canal N, 30 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET

Compatible con nivel lógico

Conmutación muy rápida

Tecnología MOSFET Trench

Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 2 kV HBM

Certificación AEC-Q101

Controlador de relé

Controlador de línea de alta velocidad

Interruptor de carga de lado bajo

Circuitos de conmutación

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