MOSFET, Tipo N-Canal Texas Instruments, VDSS 80 V, ID 273 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
162-8558
Nº ref. fabric.:
CSD19506KCS
Fabricante:
Texas Instruments
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Marca

Texas Instruments

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

273A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-220

Serie

NexFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

120nC

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.67mm

Altura

16.51mm

Anchura

4.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments


Transistores MOSFET, Texas Instruments


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