MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 8 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines

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Código RS:
163-1139
Nº ref. fabric.:
NTS2101PT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

8V

Serie

NTS2101P

Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

210mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

330mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.4nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.35 mm

Longitud

2.2mm

Altura

0.9mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia de canal P, 8V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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