MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS209PWH6327XTSA1, VDSS 40 V, ID 0.28 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
250-0554
Nº ref. fabric.:
BSS209PWH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

BSS

Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El canal P de Infineon con transistor de modo de mejora se utiliza ampliamente en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Este dispositivo es un transistor de señal pequeña OptiMOS-P con nivel superlógico de 2,5 V (nominal). La temperatura de funcionamiento es de 150 °C. Tiene clasificación de avalancha y dv /dt. Chapado de cables sin plomo, no contiene halógenos.

VDS de -20 V, RDS(on), máx. 550 mΩ e Id es de -0,63 A

La disipación de potencia máxima es de 500 mW

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