MOSFET Infineon BSS209PWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 630 mA, SOT-323 de 3 pines

El canal P de Infineon con transistor de modo de mejora se utiliza ampliamente en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Este dispositivo es un transistor de señal pequeña OptiMOS-P con nivel superlógico de 2,5 V (nominal). La temperatura de funcionamiento es de 150 °C. Tiene clasificación de avalancha y dv /dt. Chapado de cables sin plomo, no contiene halógenos.

VDS de -20 V, RDS(on), máx. 550 mΩ e Id es de -0,63 A
La disipación de potencia máxima es de 500 mW