MOSFET Infineon BSS138WH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 280 mA, SOT-323 de 3 pines

Infineon fabrica SIPMOS, un transistor de señal pequeña, de canal N y modo de mejora. El dispositivo tiene un valor nominal dv /dt y presenta chapado sin plomo. Tiene Vds de 60 V, Rds(on)max es de 3,5 Ω y Id es de 0,28 A. Es un transistor de modo de mejora de canal P sin halógenos ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos.

100 % sin plomo
La disipación de potencia máxima es de 360 mW