MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS138WH6327XTSA1, VDSS 40 V, ID 0.28 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines

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Código RS:
250-0542
Nº ref. fabric.:
BSS138WH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

BSS

Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon fabrica SIPMOS, un transistor de señal pequeña, de canal N y modo de mejora. El dispositivo tiene un valor nominal dv /dt y presenta chapado sin plomo. Tiene Vds de 60 V, Rds(on)max es de 3,5 Ω y Id es de 0,28 A. Es un transistor de modo de mejora de canal P sin halógenos ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos.

100 % sin plomo

La disipación de potencia máxima es de 360 mW

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