MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5602
- Nº ref. fabric.:
- IPD90N03S4L02ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1.782,50 €
(exc. IVA)
2.157,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 07 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,713 € | 1.782,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-5602
- Nº ref. fabric.:
- IPD90N03S4L02ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 110nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 110nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon
La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-252 de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 5 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
