MOSFET Infineon IPD068N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

El MOSFET de canal N de montaje superficial Infineon PG-TO-252-3 es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 6,8mohm a una tensión de fuente de compuerta de 10V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 90A. Tiene una tensión máxima de fuente de compuerta de 20V y una tensión de fuente de drenaje de 100V. Tiene una máxima disipación de potencia de 150W. El MOSFET tiene una tensión de conducción mínima y máxima de 6V y 10V respectivamente. Se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Productos Fáciles de diseñar
• Respetuosos con el medio ambiente
• Excelente carga de compuerta x producto R DS (on) (FOM)
• excelente rendimiento de conmutación
• Libre de halógenos
• densidad de potencia Más Alta
• Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación sincrónica
• Mayor eficiencia
• placas libres De Plomo (Pb)
• se requiere Menos paralelo
• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.
• menor consumo de espacio en la placa
• Qg Y Qgd muy bajos
• el RDS más bajo del mundo (activado)

• Amplificadores de audio clase D.
• convertidores Dc-dc Aislados (sistemas de telecomunicaciones y comunicación de datos)
• Control del motor para sistemas 48V-80V (vehículos domésticos, herramientas eléctricas, camiones)
• interruptores de junta tórica y disyuntores en sistemas 48V
• rectificador sincrónico

• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.