MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD068N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 5 pines

Código RS:: 171-1939
Nº ref. fabric.:: IPD068N10N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD068N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 5 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
10 - 90	0,751 €	7,51 €
100 - 240	0,606 €	6,06 €
250 - 490	0,575 €	5,75 €
500 - 990	0,529 €	5,29 €
1000 +	0,436 €	4,36 €

*precio indicativo

Código RS:: 171-1939
Nº ref. fabric.:: IPD068N10N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	90A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	IPD068N10N3 G
	Encapsulado	TO-252
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	12.3mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	51nC
	Disipación de potencia máxima Pd	150W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	7.47 mm
	Altura	2.41mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6.73mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 90A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie IPD068N10N3 G
	Encapsulado TO-252
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12.3mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC
	Disipación de potencia máxima Pd 150W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 7.47 mm
	Altura 2.41mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6.73mm
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET Infineon

El MOSFET de canal N de montaje superficial PG A 252-3 de Infineon es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 6,8mohm A con una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 90A A. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V y una tensión de fuente de drenaje de 100V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 71W mW. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 6V V y 10V V respectivamente. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Productos fáciles de diseñar

• Respetuosos con el medio ambiente

• Excelente carga de compuerta x producto RDS (ON) (FOM)

• Excelente rendimiento de conmutación

• Libre de halógenos

• Mayor densidad de potencia

• Mayor eficiencia

• chapado sin plomo (Pb)

• Se requiere menos conexión en paralelo

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• El menor consumo de espacio en placa

• Qg y Qgd muy bajos

• El RDS más bajo del mundo (ON)

Aplicaciones

• Amplificadores de audio Clase D.

• Convertidores dc-dc aislados (telecomunicaciones y sistemas de comunicación de datos

• Control de motor para sistemas 48V-80V (vehículos domésticos, herramientas eléctricas, camiones)

• Interruptores de junta tórica y disyuntores en sistemas 48V

• Rectificador síncrono

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC