MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-9054
Nº ref. fabric.:
IPD90N04S403ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

90A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

94W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.5mm

Altura

2.3mm

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

La gama Infineon de nuevos OptiMOS -T2 tiene una gama de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y accionamientos eléctricos. La nueva familia de productos OptiMOS -T2 amplía las familias existentes de OptiMOS -T y OptiMOS. Los productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Tiene certificación AEC Q101 para automoción

Prueba de avalancha al 100 %

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

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