MOSFET, N-Canal Infineon IPD90N04S4L04ATMA1, VDSS 40 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 229-1837
- Nº ref. fabric.:
- IPD90N04S4L04ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,945 € | 14,18 € |
| 75 - 135 | 0,92 € | 13,80 € |
| 150 - 360 | 0,895 € | 13,43 € |
| 375 - 735 | 0,873 € | 13,10 € |
| 750 + | 0,851 € | 12,77 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 229-1837
- Nº ref. fabric.:
- IPD90N04S4L04ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 71W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 71W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.22mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie IPD de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V, corriente de drenaje continua máxima de 90 A - IPD90N04S4L04ATMA1
Características y ventajas:
• La baja Rds(on) de 3,8 mΩ reduce las pérdidas por conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia máxima de 71 W admite carga térmica sostenida
• La carga de puerta de 46 nC permite un comportamiento de conmutación predecible
• La tensión nominal de drenaje-fuente de 40 V protege contra transitorios de tensión comunes
• La tensión del diodo de avance de 1,3 V limita la caída durante la conducción inversa
Aplicaciones
• Ideal para salidas de convertidor dc-dc de alta corriente
• Se utiliza con módulos de distribución de potencia en electrónica de automoción
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Adecuado para la gestión de baterías y circuitos de carga
¿Qué rango de temperatura puede tolerar este componente en condiciones de uso exigentes?
¿Cómo está encapsulado para montaje en PCB y a nivel de placa?
¿Qué extremos de tensión de puerta deben evitarse para evitar daños?
¿Cuántas conexiones eléctricas presenta en la placa?
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