MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD90N04S4L04ATMA1, VDSS 40 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
229-1837
Nº ref. fabric.:
IPD90N04S4L04ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

90A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46nC

Disipación de potencia máxima Pd

71W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.5mm

Altura

2.3mm

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de nivel normal de canal N Infineon se utiliza para aplicaciones de automoción. Tiene las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores.

Cumple con RoHS y cuenta con certificación AEC

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

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