MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 30 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
911-4997
Número de artículo Distrelec:
304-08-789
Nº ref. fabric.:
IPD30N10S3L34ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS-T

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

42mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.3mm

Anchura

6.22mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de potencia OptiMOS™ T de Infineon


Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101 para automoción

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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