MOSFET, N-Canal Infineon IPD30N10S3L34ATMA1, VDSS 100 V, ID 30 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 753-3018
- Nº ref. fabric.:
- IPD30N10S3L34ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | 1,152 € | 11,52 € |
| 30 - 120 | 0,882 € | 8,82 € |
| 130 - 620 | 0,719 € | 7,19 € |
| 630 - 1240 | 0,697 € | 6,97 € |
| 1250 + | 0,682 € | 6,82 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 753-3018
- Nº ref. fabric.:
- IPD30N10S3L34ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 42mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.3mm | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 42mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.3mm | ||
Anchura 6.22mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia OptiMOS™ T de Infineon
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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