MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
165-5608
Nº ref. fabric.:
IPB17N25S3100ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS-T

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10mm

Anchura

9.25mm

Altura

4.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia OptiMOS™ T de Infineon


Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101 para automoción

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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