MOSFET Infineon IRF530NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 831-2837
Nº ref. fabric.:: IRF530NSTRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF530NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

40 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

0,921 €

(exc. IVA)

1,114 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
20 - 80	0,921 €	18,42 €
100 - 180	0,71 €	14,20 €
200 - 480	0,663 €	13,26 €
500 - 980	0,627 €	12,54 €
1000 +	0,572 €	11,44 €

*precio indicativo

Código RS:: 831-2837
Nº ref. fabric.:: IRF530NSTRLPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	90 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	70 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	37 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Ancho	9.65mm
Altura	4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C