MOSFET, N-Canal Infineon BSS131H6327XTSA1, VDSS 240 V, ID 110 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5867
- Nº ref. fabric.:
- BSS131H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (3000 unidades, en bobina de 3000)*
258,00 €
(exc. IVA)
312,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- 9000 Envío desde el 16 de septiembre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,086 € | 258,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,082 € | 246,00 € |
| 15000 + | 0,077 € | 231,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-5867
- Nº ref. fabric.:
- BSS131H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 240V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Tensión directa Vf | 0.81V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 240V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Tensión directa Vf 0.81V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.9mm | ||
Anchura 1.3mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de la serie SIPMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 240 V, corriente de drenaje continua máxima de 110 mA - BSS131H6327XTSA1
Este MOSFET es un transistor de modo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en electrónica compacta. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes y está diseñado para aplicaciones que requieren una conducción drenador-fuente controlada con una capacidad de corriente continua moderada.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 240 V permite la conmutación de alta tensión
• La capacidad de drenaje continuo de 110 mA admite cargas de baja corriente
• El límite de fuente de puerta de 20 V protege contra tensión de puerta excesiva
• La RDS(on) máxima de 20 Ω simplifica la gestión térmica con corrientes bajas
• La carga de puerta típica de 2,1 nC reduce los requisitos de energía de accionamiento
• La disipación de potencia de 360 mW se adapta a presupuestos térmicos de pequeño factor de forma
• La capacidad de drenaje continuo de 110 mA admite cargas de baja corriente
• El límite de fuente de puerta de 20 V protege contra tensión de puerta excesiva
• La RDS(on) máxima de 20 Ω simplifica la gestión térmica con corrientes bajas
• La carga de puerta típica de 2,1 nC reduce los requisitos de energía de accionamiento
• La disipación de potencia de 360 mW se adapta a presupuestos térmicos de pequeño factor de forma
Aplicaciones
• Adecuado para conmutación de alimentación de sensor de automoción
• Ideal para circuitos de control de gestión de baterías
• Se utiliza para etapas de puerta de motor-controlador de baja corriente
• Se puede utilizar para funciones de cambio de nivel y protección
• Se utiliza con instrumentación portátil y portátil
• Ideal para circuitos de control de gestión de baterías
• Se utiliza para etapas de puerta de motor-controlador de baja corriente
• Se puede utilizar para funciones de cambio de nivel y protección
• Se utiliza con instrumentación portátil y portátil
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza para el montaje de PCB?
Se suministra en un encapsulado SOT-23 configurado para colocación de montaje en superficie para adaptarse a procesos de soldadura automatizados.
¿Qué condiciones ambientales extremas puede soportar durante el funcionamiento?
El dispositivo está diseñado para funcionar de -55 °C a 150 °C para adaptarse a amplias excursiones térmicas.
¿Qué tan compacto es el dispositivo para diseños con espacio limitado?
El tamaño del encapsulado mide 2,9 mm de longitud y 1,3 mm de anchura, mientras que la altura del componente es de 1,0 mm para aplicaciones de diseño estrecho.
¿Cumple algún estándar de certificación de automoción para uso en vehículos?
Cumple el estándar de automoción AEC-Q101 para el control de tensión de semiconductores.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 240 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines