MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 200 V, ID 4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*

431,20 €

(exc. IVA)

521,60 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 14 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
800 - 8000,539 €431,20 €
1600 +0,526 €420,80 €

*precio indicativo

Código RS:
165-6000
Nº ref. fabric.:
SIHF9630STRL-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Serie

SiHF9630S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

800mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

74W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-6.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Anchura

9.65 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados