MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIHF9620S-GE3, VDSS 200 V, ID 2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 815-2660
- Nº ref. fabric.:
- SIHF9620S-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
9,10 €
(exc. IVA)
11,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 14 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,91 € | 9,10 € |
| 100 - 240 | 0,684 € | 6,84 € |
| 250 - 490 | 0,565 € | 5,65 € |
| 500 - 990 | 0,50 € | 5,00 € |
| 1000 + | 0,476 € | 4,76 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 815-2660
- Nº ref. fabric.:
- SIHF9620S-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SiHF9620S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Tensión directa Vf | -7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SiHF9620S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Tensión directa Vf -7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-263 de 3 pines