MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
165-6595
Nº ref. fabric.:
STD13NM60ND
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

FDmesh

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

380mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

109W

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-25, +25V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.6mm

Altura

2.4mm

Anchura

6.2mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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