MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 165-6590
- Nº ref. fabric.:
- STD15N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 165-6590
- Nº ref. fabric.:
- STD15N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 710V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 340mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 85W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 710V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 340mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 85W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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