MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
188-8291
Nº ref. fabric.:
STD8N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

710V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

70W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.17mm

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.2 mm

Estándar de automoción

No

These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

Worldwide best RDS(on) area

Higher VDSSrating

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Excellent switching performance

Easy to drive

Applications

Switching applications

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