MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD8N65M5, VDSS 710 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 188-8467
- Nº ref. fabric.:
- STD8N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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| 25 - 45 | 2,732 € | 13,66 € |
| 50 - 120 | 2,462 € | 12,31 € |
| 125 - 245 | 2,216 € | 11,08 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 188-8467
- Nº ref. fabric.:
- STD8N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 710V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.17mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 710V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.17mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
Worldwide best RDS(on) area
Higher VDSSrating
High dv/dt capability
Excellent switching performance
Easy to drive
Applications
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