MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI7456DDP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 27.8 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
165-7065
Nº ref. fabric.:
SI7456DDP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

27.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

Si7456DDP

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.031Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

35.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Anchura

5.26mm

Certificaciones y estándares

Lead (Pb)-Free

Longitud

6.25mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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