MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 5.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 165-7765
- Nº ref. fabric.:
- IRFML8244TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
195,00 €
(exc. IVA)
237,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 48.000 unidad(es) más para enviar a partir del 24 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,065 € | 195,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,062 € | 186,00 € |
| 9000 + | 0,059 € | 177,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-7765
- Nº ref. fabric.:
- IRFML8244TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.02mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.02mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 25 V, corriente de drenaje continua máxima de 5,8 A - IRFML8244TRPBF
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N compacto diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie y control de nivel de señal en conjuntos electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes y está diseñado para su uso donde se requieren bajas pérdidas por conducción y un manejo de potencia modesto. El encapsulado admite montaje SOT-23 de tres contactos para diseños de placa con espacio limitado.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de conexión de 41 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La corriente de drenaje continua de 5,8 A admite corrientes de carga más altas
• La tensión de fuente de drenaje de 25 V permite la conmutación de tensión media
• La carga de puerta típica de 5,4 nC permite transiciones de puerta rápidas
• La tensión directa de 1.2 V minimiza la caída de tensión bajo carga
• La disipación de potencia máxima de 1,25 W gestiona el presupuesto térmico
• La corriente de drenaje continua de 5,8 A admite corrientes de carga más altas
• La tensión de fuente de drenaje de 25 V permite la conmutación de tensión media
• La carga de puerta típica de 5,4 nC permite transiciones de puerta rápidas
• La tensión directa de 1.2 V minimiza la caída de tensión bajo carga
• La disipación de potencia máxima de 1,25 W gestiona el presupuesto térmico
Aplicaciones
• Apto para convertidores de bajada dc-dc compactos
• Ideal para módulos portátiles de gestión de potencia
• Se utiliza con controladores de motor para el control de actuadores pequeños
• Puede utilizarse para protección de baterías y circuitos de carga
• Apto para placas de electrónica de consumo de alta densidad
• Ideal para módulos portátiles de gestión de potencia
• Se utiliza con controladores de motor para el control de actuadores pequeños
• Puede utilizarse para protección de baterías y circuitos de carga
• Apto para placas de electrónica de consumo de alta densidad
¿Cuáles son los límites térmicos de funcionamiento?
El dispositivo está diseñado para funcionar entre -55 °C y 150 °C, lo que permite el funcionamiento con arranques a baja temperatura y condiciones ambientales elevadas.
¿Qué extremos de tensión de puerta deben evitarse?
La tensión de fuente de puerta no debe superar 20 V para evitar tensión o daños en el dispositivo.
¿Cuántos contactos y qué estilo de montaje utiliza?
Se suministra como un componente de tres contactos diseñado para montaje en superficie en un tamaño SOT-23.
¿Qué compensaciones de conducción y conmutación presenta?
La combinación de resistencia de conexión de 41 mΩ y carga de puerta de 5,4 nC equilibra bajas pérdidas de conducción con requisitos de accionamiento de puerta moderados para una conmutación eficiente.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 6 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines