MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 12 V, ID 11 A, Mejora, SC-59 de 3 pines
- Código RS:
- 165-8326
- Nº ref. fabric.:
- DMN1019USN-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
324,00 €
(exc. IVA)
393,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 11 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,108 € | 324,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-8326
- Nº ref. fabric.:
- DMN1019USN-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Serie | DMN | |
| Encapsulado | SC-59 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 50.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.7 mm | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Serie DMN | ||
Encapsulado SC-59 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.7 mm | ||
Longitud 3.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SC-59 de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SC-59 de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SC-59 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-59 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-59 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-59 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-59 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, SC-59 de 3 pines