MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 40 V, ID 14.2 A, Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- Código RS:
- 165-8378
- Nº ref. fabric.:
- DMN4010LFG-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
428,00 €
(exc. IVA)
518,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 21 de septiembre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,214 € | 428,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-8378
- Nº ref. fabric.:
- DMN4010LFG-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | DMN4010LFG | |
| Encapsulado | PowerDI3333 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.45W | |
| Tensión directa Vf | 0.72V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.35mm | |
| Anchura | 3.35mm | |
| Altura | 0.8mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie DMN4010LFG | ||
Encapsulado PowerDI3333 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.45W | ||
Tensión directa Vf 0.72V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.35mm | ||
Anchura 3.35mm | ||
Altura 0.8mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, UDFN de 6 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines