MOSFET, N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
166-0023
Nº ref. fabric.:
PSMN4R3-30PL,127
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20, +20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

103W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.3mm

Altura

16mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.7mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de canal N, hasta 30V


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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