MOSFET Nexperia PSMN5R8-40YS,115, VDSS 40 V, ID 90 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 166-0115
Nº ref. fabric.:: PSMN5R8-40YS,115
Fabricante:: Nexperia

MOSFET Nexperia PSMN5R8-40YS,115, VDSS 40 V, ID 90 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

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Añadido

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1500)

0,503 €

(exc. IVA)

0,609 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1500 +	0,503 €	754,50 €
*precio indicativo

Código RS:: 166-0115
Nº ref. fabric.:: PSMN5R8-40YS,115
Fabricante:: Nexperia

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: PH

Datos del Producto

MOSFET de canal N, 40V a 55V

Transistores MOSFET, NXP Semiconductors

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	LFPAK, SOT-669
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	7,7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	89 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	28,8 nC a 10 V
Longitud	5mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Altura	1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 166-0115
Nº ref. fabric.:: PSMN5R8-40YS,115
Fabricante:: Nexperia

MOSFET Nexperia PSMN5R8-40YS,115, VDSS 40 V, ID 90 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, 40V a 55V

Especificaciones

MOSFET de canal N, 40V a 55V

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