MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN5R8-40YS,115, VDSS 40 V, ID 90 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

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Código RS:
798-3006
Nº ref. fabric.:
PSMN5R8-40YS,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

90A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOT-669

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

89W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.1 mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de canal N, 40V a 55V


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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