MOSFET, N-Canal Infineon IRFI540NPBF, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 166-1055
- Nº ref. fabric.:
- IRFI540NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,019 € | 50,95 € |
| 100 - 200 | 0,991 € | 49,55 € |
| 250 - 450 | 0,965 € | 48,25 € |
| 500 - 950 | 0,94 € | 47,00 € |
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- Código RS:
- 166-1055
- Nº ref. fabric.:
- IRFI540NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 52mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 54W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 94nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.63mm | |
| Altura | 8.9mm | |
| Anchura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 52mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 54W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 94nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.63mm | ||
Altura 8.9mm | ||
Anchura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 20 A, disipación de potencia máxima de 54 W - IRFI540NPBF
Este MOSFET se ha desarrollado para aplicaciones de alto rendimiento en la industria electrónica, desempeñando un papel crucial en la gestión de potencia y proporcionando una solución fiable para la conmutación y amplificación de señales electrónicas. Puede gestionar importantes cargas de tensión y corriente, garantizando la eficiencia en los dispositivos electrónicos modernos.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua de hasta 20 A
• Tensión nominal de 100 V para un rendimiento duradero
• La baja tensión de umbral de puerta mejora la eficiencia de la conmutación
• Alta capacidad de disipación de potencia de hasta 54 W para una mayor durabilidad
• Diseño en modo de mejora de canal N para diversas aplicaciones
• La baja resistencia drenaje-fuente de 52 mΩ minimiza la pérdida de energía
Aplicaciones
• Se utiliza en fuentes de alimentación para circuitos electrónicos
• Aplicable en sistemas de gestión de la energía para automóviles
• Se utiliza en sistemas de control de motores para aumentar la eficacia
• Importancia de la conversión de potencia en los sistemas de energías renovables
• Empleado en maquinaria automatizada para procesos de control eficaces
¿Cuál es la corriente continua máxima de este aparato?
El dispositivo admite una corriente de drenaje continua máxima de 20 A, lo que le permite adaptarse a diversas aplicaciones.
¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al rendimiento?
La tensión de umbral de puerta oscila entre 2 V y 4 V, lo que facilita la conmutación eficiente a tensiones de control más bajas y mejora el rendimiento.
¿Este aparato puede funcionar en entornos con altas temperaturas?
Sí, puede funcionar a temperaturas que alcanzan los +175 °C, lo que garantiza su rendimiento en condiciones difíciles.
¿Hay algún tipo de montaje específico recomendado para un rendimiento óptimo?
Es adecuado para el montaje a través de orificios, lo que permite conexiones seguras y una gestión térmica eficaz en diferentes aplicaciones.
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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