MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
215-2479
Nº ref. fabric.:
IPA60R360P7SXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Tensión directa Vf

900mV

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

22W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET CoolMOS serie P7 de 600 V de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 9 A - IPA60R360P7SXKSA1


Este MOSFET es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para funciones de conversión de potencia en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está fabricado para montaje en orificio pasante en flujos de trabajo de montaje convencionales, lo que proporciona una solución compacta para circuitos que requieren un dispositivo de mejora de canal N robusto con una alta tensión nominal de drenaje a fuente.

Características y ventajas:


• La tolerancia de drenaje de 600 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 9 A admite cargas de potencia media
• La Rds(on) de 360 mΩ reduce las pérdidas por conducción en la corriente de funcionamiento
• La disipación de potencia de 22 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 13 nC garantiza requisitos de accionamiento eficientes
• La tensión directa de 0.9 V minimiza la caída de conducción del diodo

Aplicaciones


• Apto para fuentes de alimentación industriales de alta tensión
• Ideal para topologías de conversión de potencia de modo conmutado
• Se utiliza para la conmutación dura en etapas de inversor
• Puede utilizarse para la corrección del factor de potencia en el lado de la red
• Se utiliza con conjuntos disipadores térmicos en módulos de potencia

¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza?


Se suministra en un encapsulado TO-220 y está diseñado para montaje en orificio pasante para proporcionar una conexión mecánica y térmica segura.

¿Qué límites térmicos y de puerta debe respetar un diseñador?


La puerta se puede accionar hasta 20 V con respecto a la fuente y el dispositivo debe refrigerarse para soportar una disipación de hasta 22 W dentro de su rango de temperatura de funcionamiento.

¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar durante el funcionamiento?


Está clasificado para funcionar a temperaturas bajas de –55 °C hasta 150 °C para una amplia variedad de entornos térmicos.

¿Qué modo de conducción y tipo de canal se proporcionan?


El componente es un dispositivo de modo de mejora de canal N adecuado para topologías de conmutación de transistor estándar.

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