MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA60R360P7SXKSA1, VDSS 600 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
215-2480
Nº ref. fabric.:
IPA60R360P7SXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

22W

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La Infineon 600V Cool MOS™ P7 es la sucesora de la serie 600V Cool MOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia. Combina las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, una tendencia de timbre muy baja, una excelente solidez del diodo del cuerpo contra conmutación dura y una excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que la aplicación de conmutación sea siete más eficiente, más compacta y mucho más fría.

Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC) debido a una extraordinaria resistencia a la conmutación

Excelente resistencia ESD >2kV(HBM) para todos los productos

Reducción significativa de pérdidas de conducción y conmutación

Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante

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