MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA60R360P7SXKSA1, VDSS 600 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2480
- Nº ref. fabric.:
- IPA60R360P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-2480
- Nº ref. fabric.:
- IPA60R360P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 22W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 22W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La Infineon 600V Cool MOS™ P7 es la sucesora de la serie 600V Cool MOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia. Combina las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, una tendencia de timbre muy baja, una excelente solidez del diodo del cuerpo contra conmutación dura y una excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que la aplicación de conmutación sea siete más eficiente, más compacta y mucho más fría.
Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC) debido a una extraordinaria resistencia a la conmutación
Excelente resistencia ESD >2kV(HBM) para todos los productos
Reducción significativa de pérdidas de conducción y conmutación
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
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