MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4417
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R280P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,001 € | 50,05 € |
| 100 - 200 | 0,801 € | 40,05 € |
| 250 - 450 | 0,761 € | 38,05 € |
| 500 - 950 | 0,72 € | 36,00 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4417
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R280P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 72W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.4mm | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 72W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.4mm | ||
Longitud 10.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de súper unión MOS P7 600V Cool sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Dispone de diodo de cuerpo resistente
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
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