MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 25 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
214-9089
Nº ref. fabric.:
IPP60R090CFD7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

CoolMOS CFD7

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.36mm

Altura

9.45mm

Anchura

4.57 mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La última CoolMOS CFD7 es la sucesora de la serie CoolMOS CFD2 y es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones de conmutación suave de destino como puente completo de desplazamiento de fase (ZVS) y LLC. La tecnología CoolMOS CFD7 cumple los más altos estándares de eficiencia y fiabilidad y, además, admite soluciones de alta densidad de potencia. En conjunto, CoolMOS CFD7 hace que las topologías de conmutación resonante sean más eficientes, más fiables, más ligeras y más frías.

Diodo de cuerpo ultrarrápido

Carga de puerta baja

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