MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R090CFD7XKSA1, VDSS 600 V, ID 25 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9091
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R090CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 4,66 € | 23,30 € |
| 10 - 20 | 4,148 € | 20,74 € |
| 25 - 45 | 3,868 € | 19,34 € |
| 50 - 120 | 3,588 € | 17,94 € |
| 125 + | 3,308 € | 16,54 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-9091
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R090CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CFD7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Anchura | 4.57 mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.45mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie CoolMOS CFD7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Anchura 4.57 mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.45mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La última CoolMOS CFD7 es la sucesora de la serie CoolMOS CFD2 y es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones de conmutación suave de destino como puente completo de desplazamiento de fase (ZVS) y LLC. La tecnología CoolMOS CFD7 cumple los más altos estándares de eficiencia y fiabilidad y, además, admite soluciones de alta densidad de potencia. En conjunto, CoolMOS CFD7 hace que las topologías de conmutación resonante sean más eficientes, más fiables, más ligeras y más frías.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
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