MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
166-1755
Nº ref. fabric.:
FQT7N10LTF
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-223

Serie

QFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

350mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.56 mm

Longitud

6.5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.6mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N QFET®, hasta 5,9 A, Fairchild Semiconductor


El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.

Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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