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    MOSFET onsemi FDMS86350, VDSS 80 V, ID 130 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple

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    Código RS:
    166-2155
    Nº ref. fabric.:
    FDMS86350
    Fabricante:
    onsemi
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    Marca

    onsemi

    Tipo de Canal

    N

    Corriente Máxima Continua de Drenaje

    130 A

    Tensión Máxima Drenador-Fuente

    80 V

    Tipo de Encapsulado

    PQFN8

    Serie

    PowerTrench

    Tipo de Montaje

    Montaje superficial

    Conteo de Pines

    8

    Resistencia Máxima Drenador-Fuente

    3,8 mΩ

    Modo de Canal

    Mejora

    Tensión de umbral de puerta mínima

    2.5V

    Disipación de Potencia Máxima

    156 W

    Configuración de transistor

    Simple

    Tensión Máxima Puerta-Fuente

    -20 V, +20 V

    Número de Elementos por Chip

    1

    Carga Típica de Puerta @ Vgs

    110 nC a 10 V

    Longitud

    5.1mm

    Material del transistor

    Si

    Temperatura Máxima de Funcionamiento

    +150 °C

    Ancho

    6.25mm

    Altura

    1.05mm

    Temperatura de Funcionamiento Mínima

    -55 °C

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